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首頁(yè)進(jìn)口晶振SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

產(chǎn)品型號(hào)：68125292
頻率：115.2~137MHZ
尺寸：2.0*1.6/2.5*2.0/3.2*2.5/5.0*3.2/7.0*5.0mm
產(chǎn)品介紹：由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.

SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振,由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.
與普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對(duì)特定的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,因此無(wú)法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性.

SiTime晶振規(guī)格	單位	siTime貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	115.2~137MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.dl-zp.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

SiTime晶振所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

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